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基本參數(shù)

1、刻蝕尺寸：6吋及以下；

2、刻蝕材料：單晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、GaN、GaAs等；

3、刻蝕速率：0.01~1μm/min；

4、刻蝕距離調(diào)節(jié)：10mm~ 60mm；

5、操作方式：全自動(dòng)控制方式；

6、系統(tǒng)總控：人機(jī)界面及控制程序；

7、電源：220VAC/50Hz，10KW；

8、機(jī)器重量：1000kg；

9、機(jī)器尺寸:  D810mm× W2020mm×H1550mm。

電源及刻蝕反應(yīng)室

1、調(diào)頻電源：13.56MHz，1.0KW；

2、反應(yīng)室：雙室，上蓋自動(dòng)啟閉，操作方便；

3、反應(yīng)室規(guī)格：Φ300′110mm；

4、真空度：≤2×10-4 Pa(腔體充分烘烤除氣，去濕后)；

5、抽氣時(shí)間：系統(tǒng)充干燥 N2解除真空后短時(shí)暴露，大氣壓~ 5×10-3 Pa 時(shí)間≤ 20min。

真空測(cè)量系統(tǒng)及氣體配置

1、真空計(jì)：數(shù)顯復(fù)合真空計(jì) 21套，測(cè)量低真空和高真空；

2、供氣：N2、O2 、CF4、CHF3、SF6以及壓縮空氣，進(jìn)氣壓力 0.4～0.6Mpa，工藝氣體純度為：99.999﹪

冷卻系統(tǒng)

1、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)；

2、保護(hù)系統(tǒng)：對(duì)泵、電極等缺水等異常情況進(jìn)行報(bào)警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)。